COLLECTION DE L'IES DANS L'ARCHIVE OUVERTE HAL

 

     

   

 

 

 

Les collaborations internationales de l'IES

 

 

Ce site dédié HAL-IES (abrité par HAL et géré à l'IES) est destiné à la consultation et au dépôt des publications scientifiques (de toutes natures : du Poster aux Articles Scientifiques en passant par les Brevets et Thèses et autres documents) de l'Institut d'Electronique et des Systèmes (UMR 5214 - CNRS et Université de Montpellier) et de ses anciennes dénominations (tout autant que ce soit possible et cohérent : EM2, CEM, CEM2, LAIN, LEM...).

Ce site, outre son aspect pratique pour consulter, rechercher et déposer permet d'accroître la visibilité de nos publications, de valoriser la production du laboratoire, d’assurer la pérennité des données déposées, de répondre aux exigences des tutelles et de la commission européenne dans le cadre de certains projets spécifiques.

 

CV PERSO

# Un unique lien dynamique basé sur un IDHal (voir documentation) du type (remplacez prenom et nom en fin d'URL) :

https://hal.archives-ouvertes.fr/IES/search/index/q/%2A/sort/producedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

permettra à nos auteurs de renvoyer vers leur production totale au cours du temps, triée par date de publication.

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie IES dans HAL".

# Si votre carrière s'est faite aussi dans d'autres laboratoires et que vous avez un IdHal, le lien suivant qui dépasse notre collection sera plus exhaustif :

https://hal.archives-ouvertes.fr/search/index/q/%2A/sort/producedDate_tdate+desc/authIdHal_s/prenom-nom/

VOUS POUVEZ UTILISER CETTE URL (particularisée à vous) DANS VOS SIGNATURES et comme "Ma bibliographie dans HAL". 

 

 

Mots clés de nos dépôts

VCSEL Semiconductor lasers SEMICONDUCTORS Antimoniures SRAM Dynamics Neutron Annealing Electron device noise Sol-gel process Atomic force microscopy Photoluminescence III V semiconductors Protons Semiconductor epitaxial layers Semiconductor thin films Physical Sciences Liquid phase epitaxial growth VECSEL Experimental study Laser 1/f noise Radiation Digital simulation Sensors Elemental semiconductors Space charge Photodiodes Radiofrequency sputtering Semiconductor materials II VI semiconductors Diffusion model Gallium compounds AP8-AP9 MODELS AFM SEU Wood Antimonides Growth mechanism Polarization Imaging Viscoelasticity Electrical conductivity Quantum wells MOSFET Multiple cell upset MCU Molecular beam epitaxy Terahertz Heavy ions Laser diodes Optimization Semiconductor growth Honey Semiconductor Plasma waves Indium antimonides Thin films CubeSat Zinc oxide Particle detector Neutrons Mechanical properties Carrier density Structural properties Gallium antimonides Energy gap Quantum cascade laser Acoustic microscopy Simulation Silver Inorganic compounds Soft Error Rate VALIDATION Molecular beam epitaxial growth Binary compounds GaSb SER Single event upset SEU Ideal gas law Optical properties Surface potential Power electronics Silicon Proton Nanostructures Particle beams III-V semiconductors Band structure Cadmium compounds Transition element compounds Semiconductors GROWTH Indium compounds Atmospheric neutrons Liquid phase epitaxy Noise Gallium nitrides Cross section Aluminium compounds Gallium arsenide

    

 (Pour Formation et Information : Correspondant HAL, Gestionnaire du Site HAL-IES & des Collections IES et CEM2 : eric.dauverchain@ies.univ-montp2.fr)