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 Le GREMAN est une unité mixte de recherche en matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies de l'Université de Tours, du CNRS et de l'INSA Centre Val de Loire créée le 1er janvier 2012 par la fusion de plusieurs laboratoires localisés à Tours et à Blois.
Ses compétences couvrent toute la chaîne depuis les matériaux (chimie et physique des solides) jusqu'à des dispositifs (composants, capteurs, transducteurs ...) et à leur intégration. Les domaines de l'efficacité de l'énergie électrique, de la microélectronique de puissance ainsi que l'utilisation des ondes ultrasonores sont particulièrement visés, avec des applications aussi bien pour l'industrie que pour la santé ou encore les appareils nomades.

L' activité du GREMAN est divisée en cinq thèmes :

  • Oxydes fonctionnels pour l'efficacité énergétique : synthèse combinatoire et nanostructuration.
  • Propriétés magnétiques et optiques des matériaux ferroïques et à corrélations électroniques.
  • Matériaux et composants innovants pour la microélectronique de puissance et RF.
  • Micronanosystèmes piézoelectriques et capacitifs pour la transduction ultrasonore et la conversion d'énergie.
  • Méthodes et instrumentation pour la caractérisation ultrasonore de milieux complexes.
   

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Mots clés

CMUT Crystallography Etching Acoustics Density functional theory Organic solar cell Doping Ceramics Chemical vapor deposition Micromachining Time-dependent density functional theory Disperse systems ZnO nanowires Piezoelectric materials Oxides Precipitation Annealing Composites Resistive switching Atomic force microscopy Imaging Chemical synthesis Electrolyte CCTO Fluorocarbon Spark plasma sintering Acoustic waves Domain walls Ferroelectricity Ferromagnetic resonance Characterization Barium titanate Collaborative framework Elasticity Thin film growth Piezoelectricity Magnetization dynamics Fluoropolymer Crystal structure FEXT Smart grid Ferroelectrics Carbides Cryoetching Adsorption Electrodes Capacitors Boundary value problems Diffraction optics Demand side management Ferroelastic Aluminium Mesoporous silicon Layered compounds Electrical properties Thin film deposition Nanoparticles Fabrication method Electronic structure Electrical resistivity Atomistic molecular dynamics Composite Electrochemical etching Electron microscopy Electric discharges Condensed matter properties High pressure Dielectric properties Raman scattering Colossal permittivity Phase transitions Light diffraction Microwave frequency DNA Porous materials Energy harvesting AC switch Ferroelectric phase transitions Materials Reliability ZnO Crosstalk Numerical modeling X-ray diffraction Gallium nitride Capacitance Transducers Silicon Active filters Attractiveness of education Hyperbolic law Thin films Porous silicon Silicon devices 3C–SiC Thermal conductivity Epitaxy Crystal growth LPCVD Modeling

 

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